韩媒3日报道显示，韩国GaN技术开发商Soft-EPi于2日宣布成功开发并发布红色GaN外延片，可提升Micro LED的性能。据说，这在韩国是首次。
业界熟知，制备红光Micro LED普遍采用AlGaInP材料，但由于物理特性限制，基于AlGaInP材料制备的红光Micro LED效率会随着芯片尺寸的微缩而显著降低，且在巨量转移制程上，AlGaInP材料的缺陷也非常明显。
具体来说，AlGaInP材料表面复合率高，若解决这个问题，则会导致LED温度特性不佳。同时，AlGaInP材料力学性能弱，机械强度差，会大幅降低Micro LED巨量转移的良率。另外，晶圆成本高也会增加Micro LED制程的成本。
相较之下，InGaN材料具有宽带隙可调、机械稳定性高及空穴扩散长度较短等优点，并且能与InGaN蓝光和绿光LED兼容，有利于实现Micro LED的全彩化，近几年来在Micro LED领域已获得广泛的关注，全球多股力量开始积极研究InGaN基材料在Micro LED领域的应用，Soft-EPi便是其中之一。
韩国厂商成功开发红色InGaN外延，提升Micro LED性能
去年，Soft-EPi成功基于GaN（在蓝宝石衬底上沉积的GaN）制造出红光LED，并采用同样的方法在蓝宝石衬底上开发出蓝光LED和绿光LED，引起了业界的关注。最近，Soft-EPi将重点聚焦于性能的提升，并决定推出基于红色GaN的外延片。
Soft-EPi指出，由于技术难度高，目前全球仅4-5家企业能够生产GaN基红光LED。但因为GaN基红光外延片领域的制造商与Meta、Google等品牌厂商签订了独家合作协议，且在研发方面困难重重，Micro LED开发商无法获得GaN基红光外延片。
而Soft-EPi已成功将红光和绿光LED集成在同一晶圆上，并计划在今年内集成及展示蓝光LED。接下来，Soft-EPi计划向有意向采购的Micro LED开发商供应这款产品。
不过，Soft-EPi研究中心的负责人表示，目前仍需继续提高红色GaN外延片的效率，Soft-EPi将继续携手客户共同提升产品的性能。
