昨（10）日，英国化合物半导体材料（外延）厂商IQE宣布与剑桥大学附属公司、GaN氮化镓Micro LED材料开发商Porotech达成战略合作，进军Micro LED市场。
双方战略合作的方向聚焦GaN基Micro LED，将合力开发并商业化Porotech独有的外延材料技术，在8英寸或12英寸单一GaN外延上生长高密度、高效率RGB全彩Micro LED，从而赋能AR/MR/VR、可穿戴设备、智能显示器及大型直显等Micro LED显示应用终端。
在本次合作中，IQE将充当Porotech外延代工生产合作伙伴的角色，依托IQE的GaN MOCVD外延生长技术，帮助实现PoroGaN®微显示技术平台的大规模量产。未来，双方将携手开发8英寸、12英寸外延制造平台，并推动商业化应用。
据LEDinside了解，Porotech近年来在GaN基Micro LED领域硕果颇丰。凭借PoroGaN®多孔GaN半导体材料技术，Porotech在2020年成功发布全球首款商业化的InGaN红光Micro LED外延，并基于此，在去年成功开发红光Micro LED显示器，进一步为推动AR/VR等智能设备应用领域的商用化扫除前端的障碍。
近日，该公司又于SID 2022展上率先推出DynamicPixelTuning™ Micro LED动态像素调色技术，外延片上每个单独的Micro LED 都能够发出可见光谱内的所有颜色。
而IQE拥有丰富的MOCVD外延生长技术储备及规模化生产的能力，可以满足制备微米级高亮Micro LED的需求，也能够完美匹配PoroGaN®技术平台。
目前，IQE产品覆盖GaN、GaAs等化合物半导体外延片，主要服务于5G等无线通讯技术及3D感测等光电技术应用领域。但在今年3月，IQE便开始透露看好Micro LED市场的发展机遇。IQE表示，Micro LED市场对于其拓展业务而言是一个绝佳的机会，而本次与Porotech达成合作，也标志着IQE正式涉足Micro LED市场。
结合IQE外延技术生长及量产的能力以及PoroGaN®外延工艺和平台，Porotech未来可望加速实现全彩化Micro LED显示器，助力催熟下一代AR/VR智能设备等应用市场。
